کاربید سیلیکون درشت
video

کاربید سیلیکون درشت

کاربید سیلیکون درشت یک ماده نیمه هادی مرکب است که از سیلیکون (Si) و کربن (C) تشکیل شده است. دارای پیوند بسیار قوی است و از نظر حرارتی، شیمیایی و مکانیکی پایدار است.
ارسال درخواست
معرفی محصول

سیلیکون کاربید 100 گریت توضیحات

دستگاه‌های الکترونیکی-نسل سوم با قدرت بالا-نیمه‌هادی که توسط SiC نشان داده می‌شود، یکی از سریع‌ترین دستگاه‌های نیمه‌رسانای نیرو در حال رشد در زمینه الکترونیک قدرت است.

 

کاربید سیلیکون به عنوان یک نماینده معمولی از نسل سوم مواد نیمه هادی، بلکه بالغ ترین تکنولوژی تولید کریستال و سطح ساخت دستگاه، یکی از پرکاربردترین مواد نیمه هادی پهنای باند وسیع، زنجیره جهانی مواد، دستگاه ها و برنامه های کاربردی را تشکیل داده است. این یک ماده نیمه هادی ایده آل برای کاربردهای-در دمای بالا،-بالا{2}}مقاوم در برابر تشعشع-مقاومت{4}}و توان بالا است.

 

 

 

 

مشخصات محصولات کاربید سیلیکون

تامین کنندگان محصولات کاربید سیلیکون-ZhenAn International

 

 

آنالیز شیمیایی معمولی
SiC 99.05%
SiO2 0.20%
اف، سی 0.03%
Fe2O3 0.10%
F.C 0.04%
خصوصیات فیزیکی معمولی
سختی: Mohs: 9.5
نقطه ذوب: سابلیم در 2600 درجه
حداکثر دمای سرویس: 1900 درجه
وزن مخصوص: 3.2 گرم بر سانتی متر مکعب
چگالی ظاهری (LPD): 1.2-1.6 گرم بر سانتی متر مکعب
رنگ: سبز
شکل ذرات: شش ضلعی

 

تولید کننده سیلیکون کاربید 100 Grit-ZhenAn International

Silicon Carbide 100 Grit manufacturer-ZhenAn International

 

تامین کننده پودر SiC-ZhenAn

 SiC Powder supplier-ZhenAn

 

خواص مکانیکی:سختی بالا (سختی Kjeldahl 3000kg/mm²)، می تواند یاقوت را برش دهد. مقاومت در برابر سایش بالا، پس از الماس دوم است.

 

خواص حرارتی:رسانایی حرارتی از مس فلزی، 3 برابر Si و 8 تا 10 برابر GaAs بیشتر است، اتلاف گرما خوب، برای دستگاه های با قدرت بالا بسیار مهم است.

 

خواص شیمیایی:مقاومت در برابر خوردگی بسیار قوی است، در دمای اتاق می تواند تقریباً در برابر هر عامل خورنده شناخته شده مقاومت کند. اکسیداسیون سطح SiC آسان برای تولید یک لایه نازک از SiO2، می تواند از اکسیداسیون بیشتر آن جلوگیری کند، در بالاتر از 1700 درجه، این لایه از فیلم اکسید ذوب و واکنش اکسیداسیون سریع است. SiC را می توان در مواد اکسید کننده مذاب حل کرد.

 

خواص الکتریکی:فاصله باند 4H-SiC و 6H-SiC حدود 3 برابر Si، 2 برابر GaAs است. شدت میدان الکتریکی شکست آن یک مرتبه بزرگتر از Si است، و نرخ رانش الکترون اشباع 2.5 برابر Si. 4H-SiC دارای شکاف باند وسیع‌تری از 6H{10}}SiC است.

 

36 عکس های بازدید مشتری از کاربید سیلیکون گریت

36 Grit Silicon Carbide Customer visit photos

 

سوالات متداول

 

 

س: آیا قیمت قابل مذاکره است؟

A: بله، لطفا در صورت داشتن هر گونه سوال در هر زمان با ما تماس بگیرید. و برای مشتریانی که می خواهند بازار را بزرگ کنند، ما تمام تلاش خود را برای حمایت از آنها انجام خواهیم داد.

س: آیا می توانید نمونه های رایگان تهیه کنید؟

A: بله، ما می توانیم نمونه های رایگان را برای مشتریان ارائه دهیم تا کیفیت را بررسی کنند یا تجزیه و تحلیل شیمیایی انجام دهند، اما لطفاً شرایط دقیق را برای ما بگویید تا نمونه های مناسب را تهیه کنیم.

س: چه زمانی می توانید کالا را تحویل دهید؟

A: معمولاً پس از دریافت پیش پرداخت یا L/C اصلی، می توانیم کالا را ظرف 15-20 روز تحویل دهیم.

س: آیا می توانید یک گزارش آزمایشی صادر شده توسط SGS یا بازرسی شخص ثالث دیگر ارائه دهید?

پاسخ: بله، اگر مشتریان گزارش‌های تست شخص ثالث را درخواست کنند، می‌توانیم.

ما صمیمانه امیدواریم که شریک شما باشیم، از مشتریان جدید و قدیمی برای بازدید از راهنما و همچنین اشکال مختلف گفتگوهای همکاری تجاری استقبال می کنیم!

تگ های محبوب: کاربید سیلیکون درشت، تولید کنندگان، تامین کنندگان، کاربید سیلیکون درشت چین, 100 gruis silikonkarbied, تامین کنندگان پودر سیاه سیاه, پودر خوب کاربید سیلیکون سیاه, پودر کاربروندوم, سازنده سیلیکون کاربید 100, deoxidizer کاربید سیلیکون

ارسال درخواست

صفحه اصلی

تلفن

ایمیل

پرس و جو